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為加快10奈米及7奈米等先進製程微縮速度，同時建立整合扇出型晶圓級封裝（InFO WLP）後段封測產能，台積電（2330）共同執行長劉德音日前接受路透社訪問時表示，明（2016）年度的資本支出將「不會是個小數目」，投資動作不會趨於保守。據設備業者推估，台積電明年資本支出可望突破100億美元、創下史上新高。除了台積電明年資本支出將明顯擴大，半導體龍頭英特爾也有同樣計畫。英特爾雖然明年處理器主流製程仍以14奈米為主，但在上周召開分析師大會，已宣布2016年資本支出將達100億美元規模，主要用在擴建10奈米先進製程產能。業界評估，英特爾訂下「100億美元」的目標，就是鎖定台積電而設。

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今年下半年半導體生產鏈持續去化庫存，台積電二度下修今年資本支出至80億美元。台積電財務長何麗梅在日前法說會中表示，由於台積電的投片及生產效率提升，加上投資計畫上的改變，及部分設備採購時間延後到明年，才決定減少今年資本支出預算，但不完全是看壞半導體景氣才降低資本支出。台積電16奈米製程產能在今年底前可望完成建置，而根據設備業者指出，台積電明年上半年16奈米接單幾乎滿載，除了為蘋果代工A9/A9X應用處理器，也接獲華為、高通、賽靈思等客戶新訂單，而蘋果下一代A10處理器也將在明年上半年開始量產投片。為了對抗來自英特爾及三星的競爭，台積電加快先進製程研發及量產時程，明年的投資計畫將鎖定在10奈米及7奈米產能的建置。台積電竹科12吋廠Fab12第7期已開始試產10奈米，中科12吋廠Fab15第5期及第6期工程正在加速晶圓廠的興建，預計2017年底10奈米總月產能將上看6萬片。由於台積電要以最快速度進入7奈米世代，現在正在趕工中的10奈米生產線，有高達9成的設備將可直接支援7奈米，等於是以最小的投資來建立最具效益的產能。不過，台積電10奈米仍採用多重曝光（multi-patterning）浸潤式微影技術，先進製程設備價格昂貴，因此明年資本支出將高於今年。根據英特爾的規畫，摩爾定律仍然有效，10奈米Cannon Lake處理器將在2017年開始進入量產階段，在10奈米量產後的1.5～2年之後，將進入7奈米世代，並且將首度採用極紫外光（EUV）微影技術。(工商時報)

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